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雜散光是紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)非常重要的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。它是紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)分析誤差的主要來(lái)源, 它直接限制被分析測(cè)試樣品濃度的上限。當(dāng)一臺(tái)紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)的雜散光一定時(shí), 被分析的試樣濃度越大, 其分析誤差就越大。astm 認(rèn)為: “雜散光可能是光譜測(cè)量中主要誤差的來(lái)源。尤其對(duì)高濃度的分析測(cè)試時(shí), 雜散光更加重要”。有文獻(xiàn)報(bào)道, 在紫外可見(jiàn)光區(qū)的吸收光譜分析中, 若儀器有1%的雜散光, 則對(duì)2. 0a 的樣品測(cè)試時(shí), 會(huì)引起2%的分析誤差時(shí), 說(shuō)明儀器中有這種雜散光存在。但必須注意, 當(dāng)儀器存在零點(diǎn)誤差時(shí), 有可能造成混淆。如果在不透明的樣品上涂上白色, 則可增加樣品本身反射和散射的效果, 可以提高測(cè)量靈敏度。第二種形式是指測(cè)試波長(zhǎng)以外的、偏離正常光路而到達(dá)光電轉(zhuǎn)換器的光線。它通常是由光學(xué)系統(tǒng)的某些缺陷所引起的。如光學(xué)元件的表面被擦傷、儀器的光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)不好、機(jī)械零部件加工不良, 使光路位置錯(cuò)移等。
雜散光對(duì)分析測(cè)試結(jié)果的誤差影響是隨著吸光度值增大而增大的。因此,吸光度值越大, 對(duì)誤差的影響也越大。
*, 紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)在制藥行業(yè)中使用較多。并且各國(guó)的藥典都明確要求許多藥品一定要用紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)來(lái)分析測(cè)試。我國(guó)的藥典規(guī)定對(duì)人用藥品的檢測(cè)時(shí), 許多藥品的相對(duì)測(cè)試誤差都不能超過(guò)1%。如假設(shè)使用的紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)的雜散光為0. 5% , 將很快從圖4-5 和表4-1 查到,該儀器測(cè)量的吸光度上限zui多只能是0. 5bs。如果被檢測(cè)藥品的吸光度大于0. 5bs , 若為0. 8ab s , 則測(cè)量誤差就大于1% , 達(dá)到1. 42% , 就不符合我國(guó)藥典規(guī)定的相對(duì)誤差為1%的要求, 即不合格。由此可見(jiàn), 不管是制造者還是使用者, 都必須高度重視對(duì)儀器雜散光的控制和選擇。
二、雜散光的來(lái)源
產(chǎn)生雜散光的原因很多, 其zui主要的原因大致有以下9 個(gè)方面:
① 灰塵沾污光學(xué)元件( 如光柵、棱鏡、透鏡、反射鏡、濾光片等)。
② 光學(xué)元件被損傷, 或光學(xué)元件產(chǎn)生的其他缺陷( 如光柵、透鏡、反射鏡、棱鏡材料中的氣泡等)。
③ 準(zhǔn)直系統(tǒng)內(nèi)部或有關(guān)隔板邊緣的反射。
④ 光學(xué)系統(tǒng)屏蔽不好。
⑤ 熱輻射或熒光引起的二次電子發(fā)射。
⑥ 狹縫的缺陷。
⑦ 光束孔徑不匹配。
⑧ 光學(xué)系統(tǒng)的像差。
⑨ 單色器內(nèi)壁黑化處理不當(dāng)。
以上9 個(gè)方面中, 光柵是雜散光的主要來(lái)源。它產(chǎn)生的雜散光占總雜散光的80%以上。
三、雜散光的測(cè)試方法
目前, 測(cè)試雜散光zui常用的方法是所謂“ 截止濾光法” ( t he cut off filtermethod) 或稱(chēng)作“ 濾光片法” ( the filte r method) 。主要是采用濾光片或?yàn)V光液來(lái)測(cè)試紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)的雜散光。有時(shí)也采用he-ne 激光器的632. 8nm 來(lái)測(cè)試雜散光。具體做法是在離632. 8nm±5nm 處進(jìn)行測(cè)試, 測(cè)出的數(shù)值與632. 8nm 相比就是雜散光。“截止濾光法” 的具體測(cè)試方法: 儀器冷態(tài)開(kāi)機(jī), 預(yù)熱0. 5h , 如用“濾光片法” 測(cè)試, 則參比為空氣; 如用濾光液來(lái)測(cè)試, 則參比為溶劑(若用nai、nano2 水溶液, 則參比為蒸餾水)。設(shè)置儀器的縱坐標(biāo)為% t , 橫坐標(biāo)為波長(zhǎng) nm) , 用濾光液時(shí), 試樣比色皿中裝濾光液, 參比比色皿中裝溶解液, 將波長(zhǎng)調(diào)到相應(yīng)的波長(zhǎng)上( nai 為220nm、nano2 為340nm) 進(jìn)行測(cè)試。
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